ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MII75-12A3, Модуль IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
MII75-12A3, Модуль IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
MII75-12A3, Модуль IGBT
Последняя цена
8620 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
MII75-12A3
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1304707
Технические параметры
Производитель
IXYS
Тип корпуса
Y4 M5
Тип монтажа
Panel Mount
Brand
IXYS
Package Type
Y4 M5
Transistor Configuration
Серия
Height
30мм
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Длина
94мм
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
1200 В
Максимальный непрерывный ток коллектора
90 А
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Высота
30мм
Число контактов
7
Размеры
94 x 34 x 30мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
34мм
Конфигурация
Серия