IXXH80N65B4, Транзистор БТИЗ, 650В 160A 625Вт TO247AD, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 1480 руб.

Сравнить

Описание

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 650V/160A TRENCH IGBT GENX4 XPT

Информация

Производитель

Ixys Corporation

P/N

IXXH80N65B4

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1741100

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Вес, г

Pd - рассеивание мощности

625 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

650 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.65 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

160 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

80 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO-247AD-3

Серия

Trench - 650V - 1200V GenX19

Технология

Коммерческое обозначение

XPT

Техническая документация

Datasheet IXXH80N65B4 , pdf , 213 КБ

IXXH80N65B4, Транзистор БТИЗ, 650В 160A 625Вт TO247AD - характеристики, поставщики

Последняя цена 1480 руб.

Техническая документация