ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MID200-12A4, Модуль IGBT - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
MID200-12A4, Модуль IGBT
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
MID200-12A4, Модуль IGBT
Последняя цена
12120 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Модули IGBT, IXYS
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
MID200-12A4
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1304703
Технические параметры
Brand
IXYS
Package Type
Y3 DCB
Mounting Type
Монтаж на панель
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
110мм
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
270 A
Minimum Operating Temperature
-40 °C
Width
62мм
Height
30мм
Pin Count
5
Dimensions
110 x 62 x 30mm
Maximum Gate Emitter Voltage
±20V
Channel Type
N
Максимальный непрерывный ток коллектора
270 A
Высота
30мм
Число контактов
5
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Тип канала
N
Ширина
62мм
Configuration
Одинарный