MUBW15-12A6K, Модуль IGBT, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3970 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductors

Дискретные полупроводниковые модули 15 Amps 1200V

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

MUBW15-12A6K

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1318141

Технические параметры

Производитель

IXYS

Тип монтажа

Монтаж на печатную плату

Transistor Configuration

Трехфазный

Длина

82мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

19 А

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

17.1мм

Число контактов

Размеры

82 x 37.4 x 17.1мм

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+125 °C

Ширина

37.4мм

Конфигурация

3-фазный мост

Вид монтажа

Screw Mount

Категория продукта

Дискретные полупроводниковые модули

Подкатегория

Discrete Semiconductor Modules

Размер фабричной упаковки

Тип продукта

Discrete Semiconductor Modules

Торговая марка

IXYS

Упаковка

Bulk

Упаковка / блок

Продукт

Power Semiconductor Modules

Серия

MUBW15

Vf - прямое напряжение

2.3 V

Vr - обратное напряжение

1600 V

Тип

Converter/Brake/Inverter

Выходной ток

89 A

Типичная величина задержки

50 ns

MUBW15-12A6K, Модуль IGBT - характеристики, поставщики

Последняя цена 3970 руб.