ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMIX1Y100N120C3H1, IGBT, 92 A 1200 V, 24-Pin SMPD - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Ixys Corporation
MMIX1Y100N120C3H1, IGBT, 92 A 1200 V, 24-Pin SMPD
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
MMIX1Y100N120C3H1, IGBT, 92 A 1200 V, 24-Pin SMPD
Последняя цена
4280 руб.
Сравнить
Описание
Semiconductors
Дискретные транзисторы IGBT, серия IXYS XPT
Дискретные транзисторы IGBT серии XPT ™ от IXYS оснащены технологией сверхлегких сквозных тонких пластин, что позволяет снизить тепловое сопротивление и потери энергии. Эти устройства предлагают быстрое переключение с низким остаточным током и доступны в различных отраслевых стандартных и патентованных пакетах.
Информация
Производитель
Ixys Corporation
Артикул
MMIX1Y100N120C3H1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1307642
Технические параметры
Brand
IXYS
Package Type
SMPD
Mounting Type
Поверхностный монтаж
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
25.25mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 В
Maximum Continuous Collector Current
92 A
Maximum Power Dissipation
400 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
23.25mm
Pin Count
24
Dimensions
25.25 x 23.25 x 5.7mm
Switching Speed
20 → 50kHz
Maximum Gate Emitter Voltage
±30V
Channel Type
N
Gate Capacitance
6000pF
Минимальная рабочая температура
55 C
Высота
5.7мм
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Максимальная рабочая температура
+ 150 C
Конфигурация
Single
Вид монтажа
SMD/SMT
Категория продукта
Модули биполярных транзисторов с изолированным зат
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1.2 kV
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2.9 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
92 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
20
Тип продукта
IGBT Modules
Ток утечки затвор-эмиттер
+/- 100 nA
Торговая марка
IXYS
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
SMPD-24
Продукт
IGBT Silicon Modules
Серия
MMIX1Y100N120
Техническая документация
Datasheet MMIX1Y100N120C3H1 , pdf
, 234 КБ