ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGP15N60UNDF, Транзистор IGBT 600В 30A [TO-220]
Последняя цена
320 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные IGBT, Fairchild Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
FGP15N60UNDF
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766233
Технические параметры
Вес, г
3.1
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.7
Корпус
to-220
Технология/семейство
npt
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
30
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
178
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
54.8
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
45
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
9.3
Техническая документация
FGP15N60UNDF_D-2313341 , pdf
, 380 КБ
Datasheet FGP15N60UNDF , pdf
, 382 КБ
Datasheet FGP15N60UNDF , pdf
, 380 КБ