ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Fairchild Semiconductor
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 к…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FGL60N100BNTD, Транзистор, IGBT, N-канальный, 60 А, 2.9 В, 180 Вт, 1 кВ, [TO-264-3]
Последняя цена
420 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO264
Информация
Производитель
Fairchild Semiconductor
Артикул
FGL60N100BNTD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1766232
Технические параметры
Вес, г
10
Максимальное напряжение КЭ ,В
1000
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.9
Корпус
TO-264
Технология/семейство
npt trench
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
60
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
180
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
630
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
120
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
140
Техническая документация
FGL60N100BNTD , pdf
, 512 КБ
Datasheet FGL60N100BNTD , pdf
, 494 КБ