IHW30N160R5XKSA1, Биполярный транзистор с изолированным затвором, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 750 руб.

Сравнить

Описание

Полевой упор для траншеи IGBT 1600 В, 60 А, 263 Вт, сквозное отверстие PG-TO247-3

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IHW30N160R5XKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1772143

Технические параметры

Base Product Number

IHW30N160 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3

Current - Collector (Ic) (Max)

60A

Current - Collector Pulsed (Icm)

90A

Gate Charge

205nC

Power - Max

263W

Switching Energy

2mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

-/290ns

Test Condition

600V, 30A, 10Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 30A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1600V

IGBT Type

Trench Field Stop

Вес, г

8.8

Series

TrenchStopв„ў ->

Техническая документация

Datasheet IHW30N160R5XKSA1 , pdf , 1759 КБ
Datasheet IHW30N160R5XKSA1 , pdf , 1822 КБ

IHW30N160R5XKSA1, Биполярный транзистор с изолированным затвором - характеристики, поставщики

Последняя цена 750 руб.

Техническая документация