ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKQ75N120CH3XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKQ75N120CH3XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKQ75N120CH3XKSA1
Последняя цена
2870 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 1.2 кВ, Ток коллектора максимальный при 25°C 150 А, Напряжение насыщения К-Э 2.35 В, Максимальная мощность 938 Вт, Заряд затвора 370 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1772159
Технические параметры
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Конфигурация
Single
Вес, г
8.77
Pd - рассеивание мощности
938 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
1200 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
2 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
150 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
150 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
240
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO247-3-46
Другие названия товара №
IKQ75N120CH3 SP001220142