ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
SKW25N120FKSA1 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
SKW25N120FKSA1 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
SKW25N120FKSA1 (K25N120), FastIGBT+D 1200В 25A, [TO-247]
Последняя цена
1060 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
SKW25N120FKSA1 (K25N120)
P/N
SP000012571SKW25N120FKSA1
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1791367
Технические параметры
Вес, г
7.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
1200
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
3.6
Корпус
pg-to-247-3
Управляющее напряжение,В
4
Технология/семейство
npt
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
46
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
313
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
730
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
84
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
45
Структура
n-канал+диод
Дополнительные опции
выдерживает 10мкс кз
Техническая документация
IGBT транзисторы Infineon , pdf
, 235 КБ
SKW25N120 , pdf
, 337 КБ