FF450R12KT4, Модуль
Производитель: Infineon Technologies, FF450R12KT4
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 1.2KV 580A
ACPL-W341-000E, Оптопара
Производитель: Avago Technologies, ACPL-W341-000E
Изолированные оптопары с драйвером затвора, Avago Technologies Устройства с оптически изолированным драйвером затвора Avago…
STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]
![STGF10NC60KD, Транзистор IGBT 600В 9А 25Вт [TO-220FP]](/file/p_img/1804799.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STGF10NC60KD
Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics
TIG056BF-1E, Транзистор IGBT 430В 240А [TO-220F-3FS/SC-67]
![TIG056BF-1E, Транзистор IGBT 430В 240А [TO-220F-3FS/SC-67]](/file/p_img/1795337.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, TIG056BF-1E
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) NCH IGBT 240A 430V
![STGW60V60DF, Транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](/file/p_img/1793274.jpg)
STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]
![STGW60V60DF, Транзистор IGBT, N-канальный, 600 В, 80 А, 375 Вт, [TO-247]](/file/p_img/1793273.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, STGW60V60DF
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 2.3 |
| Корпус | to-247 |
| Технология/семейство | trench and fieldstop |
| Наличие встроенного диода | да |
| Максимальный ток КЭ при 25°C, A | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 375 |
| Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс | 208 |
| Рабочая температура (Tj), °C | -55…+175 |
| Импульсный ток коллектора (Icm), А | 240 |
| Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс | 60 |
Тип упаковки-Tube (туба); Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 80 А, 375 Вт Корпус TO-247-3, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора ма…