STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 170 руб.

Сравнить

Описание

IGBT транзистор - [TO-263-2]; Uкэ.макс: 410 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.2 В; tнар: 1.3 мкс; tспада: 3.6 мкс
Корпус TO263, Напряжение К-Э максимальное 440 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 1.8 В, Максимальная мощность 125 Вт, Заряд затвора 28 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGB10NB37LZT4

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1793251

Технические параметры

Вес, г

2.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

440

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

1.8

Корпус

d2-pak

Управляющее напряжение,В

2.4

Технология/семейство

powermesh, internally clamped

Наличие встроенного диода

нет

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

125

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

8000

Рабочая температура (Tj), °C

-65…+175

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

1300

Структура

n-канал+диод

Техническая документация

STGB10NB37LZT4 datasheet , pdf , 95 КБ

STGB10NB37LZT4, Биполярный транзистор IGBT, 440 В, 20 А, 125 Вт, [D2-PAK] - характеристики, поставщики

Последняя цена 170 руб.

Техническая документация