STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220], ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 140 руб.

Сравнить

Описание

IGBT транзистор - [TO-220-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 10 А; Uкэ.нас: 1.8 В; Диод tвосст: 35 нс; Диод Uпад: 2 В
Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 20 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Максимальная мощность 65 Вт, Заряд затвора 19 нКл, Тип входа стандартный

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGP10NC60KD

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

1793259

Технические параметры

Вес, г

2.5

Максимальное напряжение КЭ ,В

600

Напряжение насыщения при номинальном токе, В

2.5

Корпус

to-220

Технология/семейство

powermesh

Наличие встроенного диода

да

Максимальный ток КЭ при 25°C, A

Максимальная рассеиваемая мощность, Вт

Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс

Рабочая температура (Tj), °C

-55…+150

Импульсный ток коллектора (Icm), А

Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс

Техническая документация

Datasheet STGB10NC60KDT4, STGD10NC60KDT4, STGF10NC60KD, STGP10NC60KD , pdf , 1334 КБ

STGP10NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 10А [TO-220] - характеристики, поставщики

Последняя цена 140 руб.

Техническая документация