ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [T…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGP7NC60HD, Транзистор, быстрый IGBT с Ultrafast диодом, 600В, 25А [TO-220]
Последняя цена
77 руб.
Сравнить
Описание
IGBT транзистор - Примечание: IGBT, 600V, 7A, TO-220
Корпус TO220AB, Напряжение К-Э максимальное 600 В, Ток коллектора максимальный при 25°C 25 А, Напряжение насыщения К-Э 2.5 В, Максимальная мощность 80 Вт, Заряд затвора 35 нКл, Тип входа стандартный
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGP7NC60HD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1793262
Технические параметры
Вес, г
2.5
Максимальное напряжение КЭ ,В
600
Напряжение насыщения при номинальном токе, В
2.5
Корпус
to-220
Технология/семейство
powermesh
Наличие встроенного диода
да
Максимальный ток КЭ при 25°C, A
25
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт
80
Время задержки выключения (td(off)) при при 25°C, нс
72
Рабочая температура (Tj), °C
-55…+150
Импульсный ток коллектора (Icm), А
50
Время задержки включения (td(on)) при при 25°C, нс
18.5
Техническая документация
Datasheet STGB7NC60HD, STGF7NC60HD, STGP7NC60HD , pdf
, 1359 КБ