Транзисторы - Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) - купить, сравнить


Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

IXXH110N65C4, Транзистор БТИЗ, 650В 234A 880Вт TO247AD
IXXH110N65C4, Транзистор БТИЗ, 650В 234A 880Вт TO247AD
Производитель: Ixys Corporation, IXXH110N65C4

Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTIGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXX…

IS314W, Оптопара
IS314W, Оптопара
Производитель: Isocom Components, IS314W

NGTB40N135IHRWG, IGBT транзистор Chip N-CH 1.35KV 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
NGTB40N135IHRWG, IGBT транзистор Chip N-CH 1.35KV 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель: ON Semiconductor, NGTB40N135IHRWG

IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других при…

FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3 вывод(-ов)
FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3 вывод(-ов)
Производитель: ON Semiconductor, FGH40N60UFTU

40А Низкое напряжение насыщения

NGD8205ANT4G, Предохранитель
NGD8205ANT4G, Предохранитель
Производитель: Littelfuse, NGD8205ANT4G

IGB20N60H3, БТИЗ транзистор
IGB20N60H3, БТИЗ транзистор
Производитель: Infineon Technologies, IGB20N60H3

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT

NGTB25N120FL2WG, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 192Вт; TO247-3
Производитель: ON Semiconductor, NGTB25N120FL2WG

IXBX50N360HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 50А; 660Вт; TO247HV
Производитель: Ixys Corporation, IXBX50N360HV

FP35R12W2T4, IGBT MODULE EASYPIM IGBT4 1200V 35A
FP35R12W2T4, IGBT MODULE EASYPIM IGBT4 1200V 35A
Производитель: Infineon Technologies, FP35R12W2T4

Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охв…

SGP20N60HS, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, SGP20N60HS