IXXH110N65C4, Транзистор БТИЗ, 650В 234A 880Вт TO247AD
![IXXH110N65C4, Транзистор БТИЗ, 650В 234A 880Вт TO247AD](/file/p_img/1832832.jpg)
Производитель: Ixys Corporation, IXXH110N65C4
Полупроводники\Транзисторы\Транзисторы и модули IGBT\Транзисторы IGBT\Транзисторы IGBT THTIGBT PT 650V 234A 880W Through Hole TO-247 (IXX…
NGTB40N135IHRWG, IGBT транзистор Chip N-CH 1.35KV 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
![NGTB40N135IHRWG, IGBT транзистор Chip N-CH 1.35KV 120A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube](/file/p_img/1817719.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, NGTB40N135IHRWG
IGBT Discretes, ON Semiconductor Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) для приводов двигателей и других при…
FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3 вывод(-ов)
![FGH40N60UFTU, БТИЗ транзистор, 80 А, 1.8 В, 290 Вт, 600 В, TO-247AB, 3 вывод(-ов)](/file/p_img/1817309.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, FGH40N60UFTU
40А Низкое напряжение насыщения
IGB20N60H3, БТИЗ транзистор
![IGB20N60H3, БТИЗ транзистор](/file/p_img/1815047.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IGB20N60H3
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) 600v Hi-Speed SW IGBT
NGTB25N120FL2WG, Транзистор: IGBT; 1,2кВ; 25А; 192Вт; TO247-3
Производитель: ON Semiconductor, NGTB25N120FL2WG
IXBX50N360HV, Транзистор: IGBT; BiMOSFET™; 3,6кВ; 50А; 660Вт; TO247HV
Производитель: Ixys Corporation, IXBX50N360HV
FP35R12W2T4, IGBT MODULE EASYPIM IGBT4 1200V 35A
![FP35R12W2T4, IGBT MODULE EASYPIM IGBT4 1200V 35A](/file/p_img/1813673.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, FP35R12W2T4
Модули IGBT, Infineon Модули IGBT Infineon предлагают низкие потери переключения для переключения частот до 60 кГц. БТИЗ охв…