ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGP8NC60KD, Транзистор, IGBT, стойкий к коротким замыканиям, 600В, 8А [TO-220]
Последняя цена
75 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGP8NC60KD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1793263
Технические параметры
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Brand
STMicroelectronics
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное рассеяние мощности
65 Вт
Минимальная рабочая температура
-55 C
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
+150 C
Ширина
4.6мм
Вес, г
2.5
Количество элементов на ИС
1
Максимальное пороговое напряжение включения
6.5V
Минимальное пороговое напряжение включения
4.5V
Номер канала
Поднятие
Прямое напряжение диода
2.1V
Типичный заряд затвора при Vgs
19 нКл при 10 В
Техническая документация
Datasheet STGB8NC60KDT4, STGD8NC60KDT4, STGF8NC60KD, STGP8NC60KD , pdf
, 530 КБ
Datasheet , pdf
, 556 КБ