ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGW30NC120HD, Транзистор IGBT 1200В 60А [TO-247-3]
Последняя цена
290 руб.
Сравнить
Описание
Дискретные БТИЗ, STMicroelectronics
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Артикул
STGW30NC120HD
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
1793265
Технические параметры
Brand
STMicroelectronics
Package Type
TO-247
Mounting Type
Монтаж на плату в отверстия
Maximum Operating Temperature
+150 °C
Length
15.75mm
Transistor Configuration
Одинарный
Maximum Collector Emitter Voltage
1200 V
Maximum Continuous Collector Current
60 A
Maximum Power Dissipation
220 W
Minimum Operating Temperature
-55 °C
Width
5.15mm
Height
20.15mm
Pin Count
3
Dimensions
15.75 x 5.15 x 20.15mm
Switching Speed
1МГц
Maximum Gate Emitter Voltage
±25V
Channel Type
N
Вес, г
7.5
Техническая документация
Datasheet STGW30NC120HD , pdf
, 302 КБ