ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
STGF5H60DF - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ST Microelectronics
STGF5H60DF
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
STGF5H60DF
Последняя цена
160 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторы
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Trench gate field-stop IGBT, H series 600 V, 5 A high speed
Информация
Производитель
ST Microelectronics
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2413821
Технические параметры
Минимальная рабочая температура
55 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Конфигурация
Single
Вес, г
2.42
Pd - рассеивание мощности
24 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
600 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.5 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
10 A
Непрерывный ток коллектора Ic, макс.
10 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
1000
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
+/- 250 nA
Торговая марка
STMicroelectronics
Упаковка / блок
TO-220FP-3
Серия
STGF5H60DF
Технология
Si
Непрерывный коллекторный ток
5 A
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 867 КБ
Datasheet , pdf
, 673 КБ