ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
FS100R12KE3BOSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
FS100R12KE3BOSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
FS100R12KE3BOSA1
Последняя цена
13180 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 10, АБ
Модуль IGBT NPT, одиночный, 1200 В, 140 А, 480 Вт, модуль для монтажа на шасси
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2477898
Технические параметры
Base Product Number
FS100R12 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Chassis Mount
Operating Temperature
-40В°C ~ 125В°C (TJ)
Package
Bulk
Package / Case
Module
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
Module
Current - Collector (Ic) (Max)
140A
Power - Max
480W
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.15V @ 15V, 100A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
1200V
IGBT Type
NPT
Configuration
Single
Вес, г
303.1
Current - Collector Cutoff (Max)
5mA
Input
Standard
Input Capacitance (Cies) @ Vce
7.1nF @ 25V
NTC Thermistor
No
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 450 КБ
