ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
IKP08N65F5XKSA1 - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
IKP08N65F5XKSA1
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
IKP08N65F5XKSA1
Последняя цена
59 руб.
Сравнить
Описание
Транзисторы с изолированным затвором (IGBT)
кол-во в упаковке: 50, корпус: TO220, АБ
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Категория
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
Номенклатурный номер
2463543
Технические параметры
Base Product Number
IKP08N65 ->
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Input Type
Standard
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Mounting Type
Through Hole
Operating Temperature
-40В°C ~ 175В°C (TJ)
Package
Tube
Package / Case
TO-220-3
REACH Status
REACH Unaffected
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Supplier Device Package
TO-220-3
Минимальная рабочая температура
40 C
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
+/- 20 V
Current - Collector (Ic) (Max)
18A
Current - Collector Pulsed (Icm)
24A
Gate Charge
22nC
Power - Max
70W
Switching Energy
70ВµJ (on), 20ВµJ (off)
Td (on/off) @ 25В°C
10ns/116ns
Test Condition
400V, 4A, 48Ohm, 15V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.1V @ 15V, 8A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)
650V
Reverse Recovery Time (trr)
41ns
Максимальная рабочая температура
+ 175 C
Конфигурация
Single
Вес, г
2.82
Pd - рассеивание мощности
70 W
Вид монтажа
Through Hole
Категория продукта
Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.
650 V
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер
1.6 V
Непрерывный коллекторный ток при 25 C
18 A
Подкатегория
IGBTs
Размер фабричной упаковки
500
Тип продукта
IGBT Transistors
Ток утечки затвор-эмиттер
100 nA
Торговая марка
Infineon Technologies
Упаковка
Tube
Упаковка / блок
TO-220-3
Другие названия товара №
IKP08N65F5 SP000973408
Серия
TRENCHSTOP 5 F5
Технология
Si
Series
TrenchStopВ® ->
Коммерческое обозначение
TRENCHSTOP
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 2251 КБ
