FS50R12W2T4BOMA1
Производитель: Infineon Technologies
Discrete Semiconductor Products\Transistors - IGBTs - ModulesМодуль IGBT Trench Field Stop Full Bridge Inverter 1200V 83A 335W Модуль для…
IXXN110N65C4H1, Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B
Производитель: Littelfuse, IXXN110N65C4H1
IXBT6N170, Trans IGBT Chip N-CH 1700V 12A 75000mW 3-Pin(2+Tab) TO-268
Производитель: Littelfuse, IXBT6N170
IRG7PH35UDPBF, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 180000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247AC Tube
Производитель: Infineon Technologies, IRG7PH35UDPBF
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentКомпания International Rectifier представила новое семейс…
APT30GN60BDQ2G, Trans IGBT Chip N-CH 600V 63A 203000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Производитель: Microchip Technology, APT30GN60BDQ2G
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) FG, I…
IKY75N120CH3XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 938000mW 4-Pin(4+Tab) TO-247 Tube
Производитель: Infineon Technologies, IKY75N120CH3XKSA1
Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT ComponentБиполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) INDUS…
IRGP4640PBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]
![IRGP4640PBF, Транзистор, IGBT, N-канал, 600В, 65А [TO-247AC]](/file/p_img/2378565.jpg)
Производитель: Infineon Technologies, IRGP4640PBF
| Максимальное напряжение КЭ ,В | 600 |
| Напряжение насыщения при номинальном токе, В | 1.6 |
| Корпус | to247ac |
IGBT транзисторы IRGP4640PBF - это биполярный транзистор с изолированным затвором, который отличается высокой эффективностью в широком…
FGA20N120FTDTU
Производитель: ON Semiconductor
Транзисторы / IGBT (БТИЗ) транзисторы / Одиночные IGBT транзисторыкорпус: TO-3PN, инфо: Биполярный транзистор IGBT, 1200 В, 40 А, 298…
