IKQ40N120CT2XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 722 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) IGBT PRODUCTS

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

IKQ40N120CT2XKSA1

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2455643

Технические параметры

Производитель

Infineon

Тип корпуса

TO-247

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Base Product Number

IKQ40N120 ->

ECCN

EAR99

HTSUS

8541.29.0095

Input Type

Standard

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Mounting Type

Through Hole

Operating Temperature

-40В°C ~ 175В°C (TJ)

Package

Tube

Package / Case

TO-247-3

REACH Status

REACH Unaffected

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Supplier Device Package

PG-TO247-3-46

Transistor Configuration

Одиночный

Energy Rating

Длина

15.9мм

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальный непрерывный ток коллектора

80 А

Максимальное рассеяние мощности

500 Вт

Минимальная рабочая температура

-40 °C

Высота

21.1мм

Число контактов

Размеры

15.9 x 5.1 x 21.1мм

Скорость переключения

20кГц

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Емкость затвора

2385пФ

Current - Collector (Ic) (Max)

80A

Current - Collector Pulsed (Icm)

160A

Gate Charge

190nC

Power - Max

500W

Switching Energy

3.1mJ (on), 2.9mJ (off)

Td (on/off) @ 25В°C

32ns/328ns

Test Condition

600V, 40A, 12Ohm, 15V

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.15V @ 15V, 40A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Тип канала

Максимальная рабочая температура

+175 °C

IGBT Type

Trench Field Stop

Ширина

5.1мм

Конфигурация

Single

Number of Transistors

Pd - рассеивание мощности

500 W

Вид монтажа

Through Hole

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

1200 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.75 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

80 A

Непрерывный ток коллектора Ic, макс.

80 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

240

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

100 nA

Торговая марка

Infineon Technologies

Упаковка

Tube

Упаковка / блок

TO247-3-46

Другие названия товара №

IKQ40N120CT2 SP001272732

Техническая документация

Datasheet IKQ40N120CT2 (Infineon) , pdf , 2095 КБ
Datasheet IKQ40N120CT2XKSA1 , pdf , 1636 КБ

IKQ40N120CT2XKSA1, Trans IGBT Chip N-CH 1200V 80A 500000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube - характеристики, поставщики

Последняя цена 722 руб.

Техническая документация