STGB30H60DLLFBAG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 243 руб.

Сравнить

Описание

Semiconductor - Discrete > Power Discrete > Transistor - IGBT Component

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (IGBT) Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STGB30H60DLLFBAG

Категория

Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)

Номенклатурный номер

2412880

Технические параметры

Минимальная рабочая температура

55 C

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

+/- 20 V

Максимальная рабочая температура

+ 175 C

Конфигурация

Single

Pd - рассеивание мощности

260 W

Вид монтажа

SMD/SMT

Категория продукта

Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I

Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO), макс.

600 V

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1.7 V

Непрерывный коллекторный ток при 25 C

30 A

Подкатегория

IGBTs

Размер фабричной упаковки

1000

Тип продукта

IGBT Transistors

Ток утечки затвор-эмиттер

250 uA

Торговая марка

STMicroelectronics

Упаковка / блок

D2PAK-3

Серия

STGB30H60DLLFBAG

Технология

Квалификация

AEC-Q101

Техническая документация

Datasheet STGB30H60DLLFBAG , pdf , 863 КБ

STGB30H60DLLFBAG, Trans IGBT Chip N-CH 600V 60A 260000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R - характеристики, поставщики

Последняя цена 243 руб.

Техническая документация