EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BDX53B, Транзистор NPN Darlington 80В 8А [TO-220]
BDX53B, Транзистор NPN Darlington 80В 8А [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BDX53B
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 60
Корпус to-220

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

BDX34C, Мощный составной PNP транзистор с диодом, 100В, 10А, 70 Вт, [TO-220]
BDX34C, Мощный составной PNP транзистор с диодом, 100В, 10А, 70 Вт, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BDX34C
Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 70
Корпус to-220

Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics

BDX33C, Мощный составной NPN транзистор с диодом, [TO-220]
BDX33C, Мощный составной NPN транзистор с диодом, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BDX33C
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 70
Корпус to-220

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

BDW94C, PNP составной (Дарлингтон) транзистор, [TO-220]
BDW94C, PNP составной (Дарлингтон) транзистор, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BDW94C
Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус to-220

Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics

BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO-220]
BDW93C, Дарлингтон NPN 100В 12А 80Вт [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BDW93C
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 12
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750…20000
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус to-220

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

BDW47G, Транзистор PNP DARLINGTON 100V 15A [TO-220AB]
BDW47G, Транзистор PNP DARLINGTON 100V 15A [TO-220AB]
Производитель: ON Semiconductor, BDW47G

• Дополнительное устройство • Монолитная конструкция со встроенными шунтирующими резисторами база-эмиттер

BDP953H6327XTSA1, Транзистор
BDP953H6327XTSA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BDP953H6327XTSA1

NPN-транзисторы общего назначения, Infineon

BDP950H6327XTSA1, Транзистор PNP 60В 3А 3Вт, [SOT-223]
BDP950H6327XTSA1, Транзистор PNP 60В 3А 3Вт, [SOT-223]
Производитель: Infineon Technologies, BDP950H6327XTSA1
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус SOT-223
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

Транзисторы PNP общего назначения, Infineon

BDP949H6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN [SOT-223-4]
BDP949H6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN [SOT-223-4]
Производитель: Infineon Technologies, BDP949H6327XTSA1
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 5
Корпус SOT-223
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

NPN-транзисторы общего назначения, Infineon

BD912, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
BD912, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BD912
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 100
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 90
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics