ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BDP949H6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN [SOT-223-4] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Infineon Technologies
BDP949H6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN [SOT-223-4]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BDP949H6327XTSA1, Биполярный транзистор NPN [SOT-223-4]
Последняя цена
30 руб.
Сравнить
Описание
NPN-транзисторы общего назначения, Infineon
Информация
Производитель
Infineon Technologies
Артикул
BDP949H6327XTSA1
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1758777
Технические параметры
Вес, г
0.39
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
60
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
5
Корпус
SOT-223
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
100
Техническая документация
Infineon-BDP947_BDP949_BDP953-DS-v01_01-en , pdf
, 524 КБ