BF423,112, PNP транзистор, [TO-92]
![BF423,112, PNP транзистор, [TO-92]](/file/p_img/1758839.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BF423,112
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.62 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 100 |
BF422,112, Транзистор, NPN, 250В, 250мА, 0.83Вт, [TO-92]
![BF422,112, Транзистор, NPN, 250В, 250мА, 0.83Вт, [TO-92]](/file/p_img/1758838.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BF422,112
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.83 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
BF421, PNP биполярный высоковольтный транзистор, [TO-92]
![BF421, PNP биполярный высоковольтный транзистор, [TO-92]](/file/p_img/1758837.jpg)
Производитель: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd, BF421
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0,1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0,83 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
BF421,112, PNP биполярный высоковольтный транзистор, [TO-92]
![BF421,112, PNP биполярный высоковольтный транзистор, [TO-92]](/file/p_img/1758836.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BF421,112
Структура | pnp |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.83 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
BF420L, [TO-92]
![BF420L, [TO-92]](/file/p_img/1758835.jpg)
Производитель: NXP Semiconductor, BF420L
Структура | npn |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 250 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.1 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 50 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 0.83 |
Корпус | to-92 |
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 60 |
BDX54C, Транзистор Darlington PNP 8А 100В 60Вт [TO-220]
![BDX54C, Транзистор Darlington PNP 8А 100В 60Вт [TO-220]](/file/p_img/1758790.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BDX54C
Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
Корпус | to-220 |
BDX54C, Транзистор PNP Darlington 100В 8А [TO-220]
![BDX54C, Транзистор PNP Darlington 100В 8А [TO-220]](/file/p_img/1758789.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BDX54C
Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 65 |
Корпус | to-220 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics
BDX53C, Транзистор Darlington NPN 8А 100В 60Вт [TO-220]
![BDX53C, Транзистор Darlington NPN 8А 100В 60Вт [TO-220]](/file/p_img/1758787.jpg)
Производитель: Inchange Semiconductor, BDX53C
Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
Корпус | to-220 |
BDX53C, Транзистор NPN Darlington 100В 8А [TO-220]
![BDX53C, Транзистор NPN Darlington 100В 8А [TO-220]](/file/p_img/1758786.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BDX53C
Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 60 |
Корпус | to-220 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics