BD911, NPN биполярный транзистор, [TO-220]
![BD911, NPN биполярный транзистор, [TO-220]](/file/p_img/1758772.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD911
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 15 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 3 |
BD911 от STMicroelectronics - это комплементарные силовые транзисторы NPN со сквозным отверстием в корпусе TO-220. Это устройство изготовлено по…
BD810G, Транзистор PNP 80В 10А [TO220AB]
![BD810G, Транзистор PNP 80В 10А [TO220AB]](/file/p_img/1758770.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BD810G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 90 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 1.5 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80V 10A 1.5MHz 90W Through Hole TO-220AB
BD809G, Транзистор, NPN, 80В, 10А [TO-220AB]
![BD809G, Транзистор, NPN, 80В, 10А [TO-220AB]](/file/p_img/1758769.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, BD809G
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
BD788G, Транзистор PNP 60В 4А 15Вт
Производитель: ON Semiconductor, BD788G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 15 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 50 |
BD788G - это биполярный комплементарный кремниевый силовой транзистор PNP 4A, разработанный для маломощных аудиоусилителей и низкотоковых высоко…
BD682S, [TO-126]
![BD682S, [TO-126]](/file/p_img/1758766.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD682S
| Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | to-126 |
Транзисторы Дарлингтона PNP Epitaxial Sil
BD682, Транзистор PNP Darlington, 100В,4А [TO-126]
![BD682, Транзистор PNP Darlington, 100В,4А [TO-126]](/file/p_img/1758765.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD682
| Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | to-126 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics
BD681, Транзистор Дарлингтона NPN 100V 4A 40000mW [TO-126]
![BD681, Транзистор Дарлингтона NPN 100V 4A 40000mW [TO-126]](/file/p_img/1758764.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, BD681
| Структура | npn darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | to-126 |
Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics
BD680G, Pnp 4A 80V
Производитель: ON Semiconductor, BD680G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 1 |
BD680ASTU, Транзистор, [TO-126]
![BD680ASTU, Транзистор, [TO-126]](/file/p_img/1758762.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD680ASTU
| Структура | pnp darlington с 2 резисторами и диодом |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 40 |
| Корпус | to-126 |
BD680
Производитель: ST Microelectronics
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 80 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 4 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 750 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 14 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 10 |
Транзисторы Дарлингтона PNP, STMicroelectronics