BDP953H6327XTSA1, Транзистор, Infineon Technologies - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 190 руб.

Сравнить

Описание

NPN-транзисторы общего назначения, Infineon

Информация

Производитель

Infineon Technologies

Артикул

BDP953H6327XTSA1

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1758779

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

+150 °C

Вес, г

0.85

Transistor Configuration

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

120 V

Тип монтажа

Surface Mount

Тип транзистора

NPN

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.6мм

Высота

1.6мм

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

0,5 В

Количество элементов на ИС

Максимальное рассеяние мощности

5 Вт

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

100 В

Максимальный пост. ток коллектора

3 A

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3 + Tab

Тип корпуса

SOT-223

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,3 В

Производитель

Infineon

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

Материал транзистора

Кремний

Техническая документация

Datasheet , pdf , 1681 КБ
Infineon-BDP947_BDP949_BDP953-DS-v01_01-en , pdf , 524 КБ

BDP953H6327XTSA1, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 190 руб.

Техническая документация