EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BD679A, Транзистор NPN - Darlington 80В 4A [SOT-32]
BD679A, Транзистор NPN - Darlington 80В 4A [SOT-32]
Производитель: ST Microelectronics, BD679A

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

BD679, NPN транзистор, [TO-126]
BD679, NPN транзистор, [TO-126]
Производитель: ST Microelectronics, BD679
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

BD678, Дарлингтон PNP 60В 4А [SOT-32 / TO-126]
BD678, Дарлингтон PNP 60В 4А [SOT-32 / TO-126]
Производитель: ST Microelectronics, BD678
Структура pnp darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

Транзистор биполярный Корпус TO225, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 40 Вт, Напряжение КЭ максимальное 60 В, Ток колл…

BD677A, Транзистор NPN 60В 4А 40Вт [TO-126]
BD677A, Транзистор NPN 60В 4А 40Вт [TO-126]
Производитель: Inchange Semiconductor, BD677A
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

BD677, Дарлингтон NPN 60В 4А [SOT-32]
BD677, Дарлингтон NPN 60В 4А [SOT-32]
Производитель: ST Microelectronics, BD677
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

Транзисторы Дарлингтона NPN, STMicroelectronics

BD677G, Дарлингтон NPN 60В 4А [SOT-32]
BD677G, Дарлингтон NPN 60В 4А [SOT-32]
Производитель: ON Semiconductor, BD677G
Структура npn darlington с 2 резисторами и диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

BD677G - это биполярный транзистор Дарлингтона средней мощности NPN для использования в качестве выходного устройства в дополнительных усилителя…

BD676 TO126
Производитель: ON Semiconductor
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 45
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 1

BD675G, Транзистор NPN-Darlington 45В 4А [TO-225AA / TO-126]
BD675G, Транзистор NPN-Darlington 45В 4А [TO-225AA / TO-126]
Производитель: ON Semiconductor, BD675G

Транзисторы Дарлингтона NPN, ON Semiconductor

BD440S, Транзистор GP BJT PNP 60V 4A [TO-126]
BD440S, Транзистор GP BJT PNP 60V 4A [TO-126]
Производитель: Fairchild Semiconductor, BD440S

Биполярные транзисторы - BJT PNP Epitaxial Sil

BD439G, Транзистор NPN 60В 4А [TO-225]
BD439G, Транзистор NPN 60В 4А [TO-225]
Производитель: ON Semiconductor, BD439G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 36
Корпус to-126
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

Биполярные транзисторы - BJT 4A 60V 36W NPN