EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

DTA114ESATP, Транзистор цифровой PNP, со встроенными резисторами, [TO-92S/formed]
DTA114ESATP, Транзистор цифровой PNP, со встроенными резисторами, [TO-92S/formed]
Производитель: Rohm, DTA114ESATP
Структура pnp с 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус spt(sc-72 formed leads)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250

DDTC124ECA-7-F, Транзистор Pre-Biased NPN 200мВт [SOT23-3]
DDTC124ECA-7-F, Транзистор Pre-Biased NPN 200мВт [SOT23-3]
Производитель: Diodes Incorporated, DDTC124ECA-7-F

Цифровые транзисторы с двумя резисторами, Diodes Inc.

D45H11, PNP транзистор 80В 8А, [TO-220]
D45H11, PNP транзистор 80В 8А, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, D45H11
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 50
Корпус to-220

Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics

D44VH10G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
D44VH10G, Транзистор NPN 80В 15А [TO-220AB]
Производитель: ON Semiconductor, D44VH10G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 83
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

D44H11, Биполярный транзистор, NPN, [TO-220]
D44H11, Биполярный транзистор, NPN, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, D44H11
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 10
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 50
Корпус to-220

Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics

D44C8, Биполярный транзистор, NPN, 60 В, 40 МГц, 60 Вт, 4 А, 40 hFE [TO-220]
Производитель: Fairchild Semiconductor, D44C8
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 60
Корпус to-220
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 40

CZT127, Транзистор Дарлингтона PNP 5A 100V 1W [SOT-223]
CZT127, Транзистор Дарлингтона PNP 5A 100V 1W [SOT-223]
Производитель: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co., Ltd, CZT127

CA3046, Универсальная биполярная сборка из пяти n-канальных транзисторов, [DIP-14]
CA3046, Универсальная биполярная сборка из пяти n-канальных транзисторов, [DIP-14]
Производитель: Intersil, CA3046

KTC9018-H-AT/P, Транзистор NPN 40В 20мА 625мВт 800МГц, (=2SC9018), [TO-92]
KTC9018-H-AT/P, Транзистор NPN 40В 20мА 625мВт 800МГц, (=2SC9018), [TO-92]
Производитель: Korea Electronics, KTC9018-H-AT/P
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 30
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.02
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 97
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 800

KTC9014-C-AT/P, Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц, (=2SC9014), [TO-92]
KTC9014-C-AT/P, Транзистор NPN 60В 0.15А 0.625Вт 60МГц, (=2SC9014), [TO-92]
Производитель: Korea Electronics, KTC9014-C-AT/P
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 200
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 60