EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

BUT11AF, Транзистор N-P-N 450В 5А 20Вт 800нс [TO-220FP]
BUT11AF, Транзистор N-P-N 450В 5А 20Вт 800нс [TO-220FP]
Производитель: NXP Semiconductor, BUT11AF
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-220fp

BUT11AF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=450В, Vcbo=1000В, Pd=40Вт [TO-220Fa]
BUT11AF, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=450В, Vcbo=1000В, Pd=40Вт [TO-220Fa]
Производитель: Inchange Semiconductor, BUT11AF
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-220fa

BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220]
BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BUT11A
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 100
Корпус to-220

BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220]
BUT11A, Транзистор N-P-N 450В 5А 100Вт 800нс, [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, BUT11A
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 100
Корпус to-220

Биполярный (BJT) транзистор NPN 450V 5A 100W Through Hole TO-220-3

BUL38D, Транзистор NPN 450V 10A [TO-220]
BUL38D, Транзистор NPN 450V 10A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BUL38D
Структура npn с диодом
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 13
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 80
Корпус to-220

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics

BUL310FP, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=500В, Vcbo=1000В, Pd=36Вт [TO-220F]
BUL310FP, Транзистор биполярный, NPN, Ic=5А, Vceo=500В, Vcbo=1000В, Pd=36Вт [TO-220F]
Производитель: Inchange Semiconductor, BUL310FP
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 500
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 10
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 36
Корпус to-220fp

BUL216, Транзистор NPN 800В 4A [TO-220]
BUL216, Транзистор NPN 800В 4A [TO-220]
Производитель: ST Microelectronics, BUL216

Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics

BUF420AW, Биполярный транзистор, NPN, 450В, 30А, 200Вт [TO-247]
BUF420AW, Биполярный транзистор, NPN, 450В, 30А, 200Вт [TO-247]
Производитель: ST Microelectronics, BUF420AW
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус to-247

BUF420AW - это высоковольтный силовой NPN-транзистор с быстрым переключением 450 В, изготовленный с использованием высоковольтной многоэпитаксиа…

BUF420A (маркировка BUF420AW), Биполярный транзистор, NPN, 450В, 30А, 200Вт [TO-218]
BUF420A (маркировка BUF420AW), Биполярный транзистор, NPN, 450В, 30А, 200Вт [TO-218]
Производитель: ST Microelectronics, BUF420A (маркировка BUF420AW)
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус to-247

BU941ZT TO220
BU941ZT TO220
Производитель: ST Microelectronics