ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BU508AF, Мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, драйвер управления строчной разверткой ТВ - характеристики, поставщики
ELDG.ru
NXP Semiconductor
BU508AF, Мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, драйвер упра…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BU508AF, Мощный высоковольтный NPN биполярный транзистор, драйвер управления строчной разверткой ТВ
Последняя цена
370 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
NXP Semiconductor
Артикул
BU508AF
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1760005
Технические параметры
Вес, г
5.811
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
1500
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
800
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
6
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
125
Корпус
sot-199
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
4
Техническая документация
BU508AF datasheet , pdf
, 65 КБ