ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
BU806, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=200В, Vcbo=400В, Pd=60Вт [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Inchange Semiconductor
BU806, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=200В, Vcbo=400В, Pd=60В…
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
BU806, Транзистор биполярный, NPN, Ic=8А, Vceo=200В, Vcbo=400В, Pd=60Вт [TO-220]
Последняя цена
120 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
Inchange Semiconductor
Артикул
BU806
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1760010
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
npn darlington с 2 резисторами и 2 диодами
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
400
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
400
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
8
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
60
Корпус
to-220
Техническая документация
ISC new catalogue , pdf
, 2863 КБ
ISCSEMI BU... Bipolar Transistots , pdf
, 393 КБ