ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD44H11G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD44H11G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD44H11G, Транзистор, NPN 80B/8A/20 Вт, [D-PAK / TO-252]
Последняя цена
44 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJD44H11G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782864
Технические параметры
Вес, г
0.4
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
80
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
8
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
1.75
Корпус
dpak(to-252)
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
85
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 97 КБ
Datasheet , pdf
, 306 КБ
MJD44H11 Datasheet , pdf
, 97 КБ
Datasheet , pdf
, 91 КБ