MJE5852G, Транзистор PNP 8A 400V [TO-220AB]
![MJE5852G, Транзистор PNP 8A 400V [TO-220AB]](/file/p_img/1782899.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE5852G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 400 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 8 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 80 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 30 |
TRANSISTOR, PNP, TO-220AB; Transistor Type: Bipolar; Transistor Polarity: PNP; Voltage, Vceo: 400V; Current, Ic Continuous a Max: 8A; Voltage, Vce S…
MJE350, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126]
![MJE350, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126]](/file/p_img/1782898.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, MJE350
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20.8 |
| Корпус | to-126 |
Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics
MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126]
![MJE350G, Транзистор PNP 300В 500мА [ТО-126]](/file/p_img/1782897.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE350G
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | to-126 |
MJE350G - это биполярный силовой транзистор PNP на 0,5 А, предназначенный для использования в устройствах с сетевым питанием, таких как маломощн…
MJE350STU, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126] (=KSE350S)
![MJE350STU, Транзистор PNP, 300В, 0.5А, 20Вт [ТО-126] (=KSE350S)](/file/p_img/1782896.jpg)
Производитель: Fairchild Semiconductor, MJE350STU
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | to-126 |
MJE340G, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=KSE340)
![MJE340G, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=KSE340)](/file/p_img/1782895.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE340G
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | to-126 |
5 В)
MJE340, Транзистор, [TO-126]
![MJE340, Транзистор, [TO-126]](/file/p_img/1782894.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, MJE340
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20.8 |
| Корпус | to-126 |
Высоковольтные транзисторы, STMicroelectronics
KSE340STU, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=MJE340)
![KSE340STU, Транзистор NPN 300В 0.5А [TO-126] (=MJE340)](/file/p_img/1782893.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, KSE340STU
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 300 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 0.5 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 30 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 20 |
| Корпус | to-126 |
TRANSISTOR, NPN; Transistor Type: General Purpose; Transistor Polarity: NPN; Voltage, Vceo: 300V; Current, Ic Continuous a Max: 50mA; Power Dissipat…
MJE3055T, Транзистор, [TO-220]
![MJE3055T, Транзистор, [TO-220]](/file/p_img/1782892.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, MJE3055T
| Структура | npn |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
Силовые транзисторы NPN, STMicroelectronics
MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]
![MJE2955T, PNP биполярный транзистор, [TO-220]](/file/p_img/1782891.jpg)
Производитель: ST Microelectronics, MJE2955T
| Структура | pnp |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 60 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 10 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 75 |
| Корпус | to-220 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 2 |
Силовые транзисторы PNP, STMicroelectronics
MJE270, Транзистор, [TO-126]
![MJE270, Транзистор, [TO-126]](/file/p_img/1782890.jpg)
Производитель: ON Semiconductor, MJE270
| Структура | npn darlington |
| Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В | 100 |
| Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) | 2 |
| Статический коэффициент передачи тока h21э мин | 1500 |
| Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт | 1.5 |
| Корпус | to-126 |
| Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц | 6 |
Биполярные транзисторы - BJT 2A 100V Bipolar Power NPN