ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJD31CG, Транзистор NPN 100В 3А [DPAK] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJD31CG, Транзистор NPN 100В 3А [DPAK]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJD31CG, Транзистор NPN 100В 3А [DPAK]
Последняя цена
27 руб.
Сравнить
Описание
Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJD31CG
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782861
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)
MSL 1 - Безлимитный
Напряжение Коллектор-Эмиттер
100В
Стиль Корпуса Транзистора
TO-252
Рассеиваемая Мощность
15Вт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
3А
DC Усиление Тока hFE
10hFE
Частота Перехода ft
3МГц
Вес, г
0.4
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 96 КБ
Datasheet , pdf
, 96 КБ
Datasheet , pdf
, 282 КБ
MJD31-D , pdf
, 280 КБ