EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

MJW21194G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247]
MJW21194G, Транзистор NPN 250В 16А [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, MJW21194G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус to-247
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247]
MJW21193G, Транзистор PNP 250В 16А [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, MJW21193G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 30
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 20
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус to-247
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

MJL4302AG, Транзистор PNP 350В 15А [ТО-264]
MJL4302AG, Транзистор PNP 350В 15А [ТО-264]
Производитель: ON Semiconductor, MJL4302AG
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 350
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 230
Корпус TO-264
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 35

MJL4302AG - это дополнительный кремниевый силовой транзистор PNP для мощного звука. Он отличается низким уровнем гармонических искажений. …

MJL3281AG, Транзистор, NPN, аудио, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 150 hFE, [TO-264]
MJL3281AG, Транзистор, NPN, аудио, 260 В, 30 МГц, 200 Вт, 15 А, 150 hFE, [TO-264]
Производитель: ON Semiconductor, MJL3281AG
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус TO-264
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30

Корпус TO264, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 200 Вт, Напряжение КЭ максимальное 260 В, Ток коллектора 15 А, Коэффициент…

MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
MJL21194G, Биполярный транзистор, NPN, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
Производитель: ON Semiconductor, MJL21194G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус TO-264
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Силовые транзисторы NPN, ON Semiconductor

MJL21193G, Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
MJL21193G, Биполярный транзистор, PNP, 250 В, 16 А, 200 Вт, [TO-264]
Производитель: ON Semiconductor, MJL21193G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 16
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус TO-264
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 4

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

MJL1302AG, Транзистор PNP 15A 200V, [TO-264]
MJL1302AG, Транзистор PNP 15A 200V, [TO-264]
Производитель: ON Semiconductor, MJL1302AG
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 260
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 200
Корпус TO-264
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

MJH11021G, Транзистор PNP Darlington 250В 15А [TO-247]
MJH11021G, Транзистор PNP Darlington 250В 15А [TO-247]
Производитель: ON Semiconductor, MJH11021G
Структура pnp darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 400
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус to-247
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 3

Транзисторы Дарлингтона PNP, ON Semiconductor

MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
Производитель: ON Semiconductor, MJF18004G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 35
Корпус to-220fp
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 13

Биполярные транзисторы - BJT 5A 450V 35W NPN

MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3]
MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3]
Производитель: ON Semiconductor, MJE800G
Структура npn darlington
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 60
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 4
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 750
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 40
Корпус to-126

The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications. …