MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Сравнить

The MJE800G is a 4A NPN bipolar power Darlington Transistor designed for general purpose amplifier and low speed switching applications.

• Complementary device
• Monolithic construction with built-in base-emitter resistors to limit leakage multiplication

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MJE800G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1782900

Вес, г

0.9

Структура

npn darlington

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

750

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

Корпус

to-126

MJE800G, Биполярный составной NPN транзистор с высоким коэффициентом передачи тока, [TO-225-3] - характеристики, поставщики