EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
MMBT5401LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 160 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT5401LT1G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

• Без галогенов • Соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP

MMBT5401, Транзистор, PNP, 150В, 600мА [SOT-23-3]
MMBT5401, Транзистор, PNP, 150В, 600мА [SOT-23-3]
Производитель: Diotec Semiconductor, MMBT5401
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60…240
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Корпус SOT-23-3

MMBT5401, Транзистор, [SOT-23]
MMBT5401, Транзистор, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT5401
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 150
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Корпус SOT-23-3

MMBT4403LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]
MMBT4403LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT4403LT1G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 200

Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация PNP, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 600 мА, Коэффиц…

MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]
MMBT4401LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 40 В, 0.6 А, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT4401LT1G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250

Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor

MMBT3906WT1G, Транзистор
MMBT3906WT1G, Транзистор
Производитель: ON Semiconductor, MMBT3906WT1G

Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor

MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
MMBT3906LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 40 В, 0.1 А, 0.35 Вт, [SOT-23-2]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT3906LT1G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 250

Малосигнальные транзисторы PNP, ON Semiconductor

MMBT3904WT1G, Транзистор 0.2A 0.15W NPN 40V [SOT-323]
MMBT3904WT1G, Транзистор 0.2A 0.15W NPN 40V [SOT-323]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT3904WT1G

Корпус SOT-323-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 150 мВт, Напряжение КЭ максимальное 40 В, Ток коллектора 200 мА, Коэффи…

MMBT3904LT1G, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]
MMBT3904LT1G, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT3904LT1G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Малосигнальные NPN-транзисторы, ON Semiconductor

MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]
MMBT3904, Транзистор NPN 40В 0.2А [SOT-23-3]
Производитель: Diotec Semiconductor, MMBT3904
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 40
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.2
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Корпус TO236