EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23]
MMBTH81, ВЧ транзистор, PNP, 20В, 50мА 225мВт [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBTH81
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 20
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 600

MMBTH81 - это ВЧ-транзистор PNP, предназначенный для обычных ВЧ-усилителей и смесителей до 250 МГц с токами коллектора в диапазоне от 1 до 30 мА…

MMBTH11, РЧ транзистор NPN 25В 650МГц [SOT-23-3]
Производитель: ON Semiconductor, MMBTH11
Структура npb
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,0225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 650

MMBTA92LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт, [SOT-23]
MMBTA92LT1G, Биполярный транзистор, PNP, 300 В, 0.5 А, 0.25 Вт, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBTA92LT1G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 25
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

MMBTA92LT1G - это высоковольтный биполярный транзистор PNP, разработанный для усилителей общего назначения. Это устройство размещено в корпусе,…

MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE [SOT-23]
MMBTA56LT1G, Биполярный транзистор, PNP, -80 В, 50 МГц, 225 мВт, -500 мА, 100 hFE [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBTA56LT1G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

MMBTA56LT1G - это биполярный транзистор PNP, предназначенный для использования в линейных и коммутационных приложениях. Устройство размещено в к…

MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]
MMBTA42LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 300 В, 0.5 А, 0.35 Вт, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBTA42LT1G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.3
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

MMBTA42LT1G - это кремниевый высоковольтный биполярный транзистор NPN 300 В, предназначенный для усилителей общего назначения. Устройство подход…

PMBTA42,215, Транзистор NPN, 300 В, 250 мВт, 100 мА, 40 hFE [SOT-23]
PMBTA42,215, Транзистор NPN, 300 В, 250 мВт, 100 мА, 40 hFE [SOT-23]
Производитель: Nexperia, PMBTA42,215
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

Корпус TO236, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 250 мВт, Напряжение КЭ максимальное 300 В, Ток коллектора 100 мА, Коэффицие…

MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, [SOT-23]
MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBTA06LT1G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 80
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 100
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 100

NPN Bipolar Transistor Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, То…

MMBT5551, Транзистор, [SOT-23]
MMBT5551, Транзистор, [SOT-23]
Производитель: Fairchild Semiconductor, MMBT5551
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23

Малосигнальные NPN-транзисторы, более 100 В, Fairchild Semiconductor

MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
Производитель: Diotec Semiconductor, MMBT5551
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 300

Корпус TO236

MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23]
Производитель: ON Semiconductor, MMBT5551LT1G
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.225
Корпус sot-23

MMBT5551LT1G - это кремниевый высоковольтный транзистор NPN, разработанный для удовлетворения уникальных требований к изменению места установки…