ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MJF18004G, Биполярный NPN мощный транзистор, [TO-220]
Последняя цена
210 руб.
Сравнить
Описание
Биполярные транзисторы - BJT 5A 450V 35W NPN
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MJF18004G
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1782901
Технические параметры
Вес, г
2.5
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
1000
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
450
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
14
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
35
Корпус
to-220fp
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
13
Техническая документация
Datasheet , pdf
, 343 КБ
MJF18004 datasheet , pdf
, 425 КБ
Datasheet MJF18004G , pdf
, 340 КБ