EL

Транзисторы - Биполярные (BJTs) - купить, сравнить

Биполярные (BJTs)

NJW1302G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, PNP, -250 В, 30 МГц, 200 Вт, -15 А, 45 hFE, TO-3P
NJW1302G, Биполярный транзистор, AEC-Q100, PNP, -250 В, 30 МГц, 200 Вт, -15 А, 45 hFE, TO-3P
Производитель: ON Semiconductor, NJW1302G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус to-3p
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30

Силовые транзисторы PNP, ON Semiconductor

NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P]
NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE], Транзистор, NPN/PNP,аудио, 250В, 15А, 150 Вт, 30 МГц [TO-3P]
Производитель: ON Semiconductor, NJW0302G + NJW0281G [комплект без подбора hFE]
Структура npn+pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 250
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 15
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 75
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 150
Корпус to-3p
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 30

NJD35N04G, Транзистор
Производитель: ON Semiconductor, NJD35N04G

NE68139-T1-A, ВЧ транзистор NPN 10V 0.065A [SOT-143]
NE68139-T1-A, ВЧ транзистор NPN 10V 0.065A [SOT-143]
Производитель: California Eastern Labs, NE68139-T1-A
Структура npn
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 10
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,065
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 50
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,2
Корпус SOT-143
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 9000

NCEP85T14, Транзистор N-MOSFET 85В 140А [TO-220]
NCEP85T14, Транзистор N-MOSFET 85В 140А [TO-220]
Производитель: Wuxi NCE Power Semiconductor, NCEP85T14

MUN5211DW1T1G, Цифровой транзистор 2-NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SOT-363]
MUN5211DW1T1G, Цифровой транзистор 2-NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SOT-363]
Производитель: ON Semiconductor, MUN5211DW1T1G
Структура 2 X npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,25
Корпус SOT-363

Двойные цифровые транзисторы с двойным резистором, ON Semiconductor

MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
MUN2211T1G, Цифровой транзистор NPN 50В 100мА R1/R2=10кОм [SC-59-3]
Производитель: ON Semiconductor, MUN2211T1G
Структура npn с 2 резисторами
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 50
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0,5
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 35
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0,23
Корпус SC-59

Цифровые NPN-транзисторы с двумя резисторами, ON Semiconductor

MUN2113T1G, Транзистор PREBIAS PNP 50В 100мА [SC-59]
MUN2113T1G, Транзистор PREBIAS PNP 50В 100мА [SC-59]
Производитель: ON Semiconductor, MUN2113T1G

Биполярные транзисторы - С предварительно заданным током смещения SS BR XSTR PNP 50V

MPSA92G, Транзистор, [TO-92]
MPSA92G, Транзистор, [TO-92]
Производитель: ON Semiconductor, MPSA92G
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 1
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 40
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.68
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50

MPSA92, Биполярный транзистор, PNP, 300В, 500 мА, 625 мВт, 50 МГц [TO-92]
MPSA92, Биполярный транзистор, PNP, 300В, 500 мА, 625 мВт, 50 МГц [TO-92]
Производитель: Diotec Semiconductor, MPSA92
Структура pnp
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В 300
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А) 0.3
Статический коэффициент передачи тока h21э мин 80
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт 0.625
Корпус to-92
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц 50