ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBTH11, РЧ транзистор NPN 25В 650МГц [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
ON Semiconductor
MMBTH11, РЧ транзистор NPN 25В 650МГц [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBTH11, РЧ транзистор NPN 25В 650МГц [SOT-23-3]
Последняя цена
8.1 руб.
Сравнить
Информация
Производитель
ON Semiconductor
Артикул
MMBTH11
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1783179
Технические параметры
Максимальная Рабочая Температура
150 C
Количество Выводов
3вывод(-ов)
Напряжение Коллектор-Эмиттер
25В
Стиль Корпуса Транзистора
sot-23
Рассеиваемая Мощность
225мВт
Полярность Транзистора
npn
DC Ток Коллектора
50мА
DC Усиление Тока hFE
60hFE
Частота Перехода ft
650МГц
Вес, г
0.05
Структура
npb
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
25
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
25
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,05
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
60
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,0225
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
650
Соответствует Фталатам RoHS
да
Техническая документация
MPSH11 , pdf
, 245 КБ