MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 6 руб.

Сравнить

Описание

MMBT5551LT1G - это кремниевый высоковольтный транзистор NPN, разработанный для удовлетворения уникальных требований к изменению места установки и управления. Этот транзистор поддерживает PPAP и соответствует требованиям AEC-Q101.

• Без галогенов

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBT5551LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1783171

Технические параметры

Вес, г

0.05

Структура

npn

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

180

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

160

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.6

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.225

Корпус

sot-23

Техническая документация

Datasheet , pdf , 177 КБ

MMBT5551LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 180 В, 0.6 А, 0.225 Вт, [SOT-23] - характеристики, поставщики

Последняя цена 6 руб.

Техническая документация