MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, [SOT-23], ON Semiconductor - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 5 руб.

Сравнить

Описание

NPN Bipolar Transistor
Корпус SOT-23-3, Тип проводимости и конфигурация NPN, Рассеиваемая мощность 225 мВт, Напряжение КЭ максимальное 80 В, Ток коллектора 500 мА, Коэффициент усиления по току, min 100

Информация

Производитель

ON Semiconductor

Артикул

MMBTA06LT1G

Категория

Биполярные (BJTs)

Номенклатурный номер

1783174

Технические параметры

Вес, г

0.05

Структура

npn

Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В

Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В

Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)

0.5

Статический коэффициент передачи тока h21э мин

100

Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт

0.225

Корпус

sot-23

Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц

100

Техническая документация

Datasheet , pdf , 160 КБ
MMBTA05LT1-D , pdf , 70 КБ
MMBTA05LT1-D , pdf , 99 КБ

MMBTA06LT1G, Биполярный транзистор, NPN, 80 В, 0.5 А, [SOT-23] - характеристики, поставщики

Последняя цена 5 руб.

Техническая документация