ELDG.ru
Категории
Производители
ELDG.ru - elements of digital devices
Вход
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3] - характеристики, поставщики
ELDG.ru
Diotec Semiconductor
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
Электронные компоненты
Акустика
Датчики
Диоды
Индуктивные компоненты
Компенсация реактивной мощности
Конденсаторы
Микросхемы
Оптопары и изоляторы
Полупроводниковые модули
Предохранители
Радиолампы
63
Резисторы
Резонаторы и фильтры
Тиристоры и Триаки
Транзисторы
Трансформаторы
Устройства защиты
Ферриты, магниты, СВЧ приборы
Транзисторы
Биполярные (BJTs)
5811
Биполярные с изолированным затвором (IGBTs)
857
МОП-транзисторы 600В
2
МОП-транзисторы 600В или более
8
Полевые (FETs, MOSFETs)
4454
Полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)
1383
Биполярные (BJTs)
5811
MMBT5551, Транзистор, NPN, 150В, 600мА [SOT-23-3]
Последняя цена
8 руб.
Сравнить
Описание
Корпус TO236
Информация
Производитель
Diotec Semiconductor
Артикул
MMBT5551
Категория
Биполярные (BJTs)
Номенклатурный номер
1783172
Технические параметры
Вес, г
0.0093
Структура
npn
Макс. напр. к-б при заданном обратном токе к и разомкнутой цепи э.(Uкбо макс),В
180
Макс. напр. к-э при заданном токе к и разомкнутой цепи б.(Uкэо макс),В
160
Максимально допустимый ток к ( Iк макс.А)
0,6
Статический коэффициент передачи тока h21э мин
80…250
Максимальная рассеиваемая мощность ,Вт
0,25
Корпус
sot-23
Граничная частота коэффициента передачи тока fгр.МГц
300
Техническая документация
MMBT5551 , pdf
, 144 КБ