IPP030N10N3 G, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, IPP030N10N3 G
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 3, 100 В и более
BSC010N04LSATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 40 В, 0.00085 Ом, 10 В, 2 В
Производитель: Infineon Technologies, BSC010N04LSATMA1
Полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ 5
PSMN3R5-80PS, МОП-транзистор, N Канал, 120 А, 80 В, 0.003 Ом, 10 В, 3 В
Производитель: Nexperia, PSMN3R5-80PS
N-канальный полевой МОП-транзистор, 60–80 В, Nexperia
DMN65D8L-7, МОП-транзистор, N Канал, 310 мА, 60 В, 2 Ом, 10 В, 2 В
Производитель: Diodes Incorporated, DMN65D8L-7
N-канальный полевой МОП-транзистор, от 40 до 90 В, Diodes Inc.
BSR92PH6327XTSA1, МОП-транзистор, P Канал, 140 мА, 250 В, PG-SC59-3
Производитель: Infineon Technologies, BSR92PH6327XTSA1
P-канал 250 В 140 мА (Ta) 500 мВт (Tc) поверхностный монтаж PG-SC-59
STF12N60M2, Транзистор
Производитель: ST Microelectronics, STF12N60M2
Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics…
IXFN200N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 А, 100 В, 7.5 мОм, 15 В, 5 В
Производитель: Ixys Corporation, IXFN200N10P
N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™ N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним…
STD5NM60T4, Силовой МОП-транзистор, N Канал, 5 А, 650 В, 1 Ом, 10 В, 4 В
Производитель: ST Microelectronics, STD5NM60T4
• 100% лавинные испытания • Высокое dv • dt и лавинные возможности • Низкая входная емкость и заряд затвора • Низкое входное…
IPB160N04S4H1ATMA1, МОП-транзистор, N Канал, 160 А, 40 В, 0.0014 Ом, 10 В, 3 В
Производитель: Infineon Technologies, IPB160N04S4H1ATMA1
Силовые полевые МОП-транзисторы Infineon OptiMOS ™ T2 Infineon, № 146, новый OptiMOS ™ -T2 включает ряд энергоэффективных по…