IXFN200N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 А, 100 В, 7.5 мОм, 15 В, 5 В, Ixys Corporation - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 3340 руб.

Сравнить

Описание

N-канальные силовые МОП-транзисторы, IXYS HiperFET ™ серии Polar ™
N-канальные силовые МОП-транзисторы с быстрым внутренним диодом (HiPerFET ™) от IXYS

Информация

Производитель

Ixys Corporation

Артикул

IXFN200N10P

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810342

Технические параметры

Максимальная Рабочая Температура

175 C

Количество Выводов

4вывод(-ов)

Стиль Корпуса Транзистора

isotop

Рассеиваемая Мощность

680Вт

Полярность Транзистора

N Канал

Напряжение Истока-стока Vds

100В

Непрерывный Ток Стока

200А

Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)

0.0075Ом

Напряжение Измерения Rds(on)

15В

Пороговое Напряжение Vgs

5в

Вес, г

Техническая документация

Datasheet IXFN200N10P , pdf , 174 КБ
Datasheet IXFN200N10P , pdf , 181 КБ

IXFN200N10P, МОП-транзистор, PolarFET, N Канал, 200 А, 100 В, 7.5 мОм, 15 В, 5 В - характеристики, поставщики

Последняя цена 3340 руб.

Техническая документация