STF12N60M2, Транзистор, ST Microelectronics - характеристики, поставщики, цена.

Последняя цена 320 руб.

Сравнить

Описание

Серия N-канальных MDmesh ™ M2, STMicroelectronics
Серия высоковольтных силовых полевых МОП-транзисторов от STMicroelecronics. Благодаря низкому заряду затвора и отличным характеристикам выходной емкости серия MDmesh M2 идеально подходит для использования в импульсных источниках питания резонансного типа (LLC-преобразователи).

Информация

Производитель

ST Microelectronics

Артикул

STF12N60M2

Категория

Полевые (FETs, MOSFETs)

Номенклатурный номер

1810365

Технические параметры

Вес, г

0.35

Maximum Operating Temperature

+150 °C

Package Type

TO-220FP

Transistor Material

Length

10.4mm

Brand

STMicroelectronics

Series

MDmesh M2

Pin Count

Typical Gate Charge @ Vgs

16 nC @ 10 V

Maximum Gate Source Voltage

-25 V, +25 V

Mounting Type

Through Hole

Transistor Configuration

Single

Number of Elements per Chip

Maximum Continuous Drain Current

9 A

Maximum Power Dissipation

25 W

Width

4.6mm

Height

16.4mm

Maximum Drain Source Resistance

450 mΩ

Maximum Drain Source Voltage

600 V

Channel Mode

Enhancement

Channel Type

Forward Diode Voltage

1.6V

Dimensions

10.4 x 4.6 x 16.4mm

Typical Turn-On Delay Time

9.2 ns

Typical Turn-Off Delay Time

56 ns

Техническая документация

Datasheet STF12N60M2 , pdf , 382 КБ

STF12N60M2, Транзистор - характеристики, поставщики

Последняя цена 320 руб.

Техническая документация