Транзисторы - Полевые (FETs, MOSFETs) - купить, сравнить


Полевые (FETs, MOSFETs)

FDS3992, Транзистор
FDS3992, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDS3992

• Низкий заряд Миллера • Корпусный диод с низким QRR • Оптимизированный КПД на высоких частотах • Возможность UIS (одиночный импу…

TPH8R903NL,LQ(S ТРАНЗИСТОР, MOSFET N-Ch 30V 38A 10uA
TPH8R903NL,LQ(S ТРАНЗИСТОР, MOSFET N-Ch 30V 38A 10uA
Производитель: Toshiba, TPH8R903NL,LQ(S транзистор

BSZ0909NSATMA1, Транзистор N-MOSFET 34В 9A/36A [PG-TSDSON-8]
BSZ0909NSATMA1, Транзистор N-MOSFET 34В 9A/36A [PG-TSDSON-8]
Производитель: Infineon Technologies, BSZ0909NSATMA1

FDB2552, Транзистор
FDB2552, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FDB2552

Автомобильный N-канальный МОП-транзистор, Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor предлагает решения, которые решают…

FQB22P10TM, Транзистор
FQB22P10TM, Транзистор
Производитель: Fairchild Semiconductor, FQB22P10TM

• 100% лавинные испытания • 40 нКл Типичный низкий заряд затвора • 160 пФ Типичный низкий Crss

BSS87H6327FTSA1, Транзистор
BSS87H6327FTSA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, BSS87H6327FTSA1

Полевые МОП-транзисторы Infineon SIPMOS® с N-каналом

NDS9952A, Транзистор MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A SOIC-8
NDS9952A, Транзистор MOSFET N/P-CH 30V 3.7/2.9A SOIC-8
Производитель: ON Semiconductor, NDS9952A

• Конструкция ячейки высокой плотности для чрезвычайно низкого RDS (ON) • Высокая мощность и способность выдерживать ток в широко используе…

STP13N80K5, Микросхема
STP13N80K5, Микросхема
Производитель: ST Microelectronics, STP13N80K5

N-канальные серии MDmesh ™ K5, SuperMESH5 ™, STMicroelectronics

IPB60R099CPATMA1, Транзистор
IPB60R099CPATMA1, Транзистор
Производитель: Infineon Technologies, IPB60R099CPATMA1

• Низкий показатель качества (FOM) RON x Qg • Максимальный рейтинг dV / dt • Высокий пиковый ток • Соответствует требованиям JEDE…

SMP3003-DL-1E, Транзистор
SMP3003-DL-1E, Транзистор
Производитель: ON Semiconductor, SMP3003-DL-1E

P-канальный силовой полевой МОП-транзистор, от 30 до 500 В, ON Semiconductor